在传统存储产品方面，10nm以下DRAM制造工艺正成为主流，并逐步向7nm工艺突破，通过“FinFET架构+TSV技术”提升密度、降低功耗。3D NAND堆叠层数突破400层后，“垂直堆叠”难度加剧，厂商转向“水平扩展+架构优化”，比如三星V-NAND的阶梯式架构、Kioxia的BiCS架构，同时引入“HKC（高K介质+金属栅）”技术，解决高层数堆叠的漏电、散热问题，制造工艺从“层数竞赛”转向“架构+工艺”双重竞争。
Shares in the payment company soared more than 25 percent in after-hours trading on Thursday as it announced it would shed more than 4,000 jobs from its 10,000-strong workforce.
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12月23日，记者获悉，受持续降温天气影响，黄河壶口段近日出现大面积流凌。流凌流经壶口瀑布后，在下游“十里龙槽”开始堆积，形成流凌封河景观。白色的流凌犹如一条巨龙横卧在晋陕峡谷间，与河岸的冰挂、壮美的瀑布相互映衬。SourcePh" style="display:none"